個人簡介
2003年9月至2008年6月于中國科學院長春應用化學研究所高分子物理與化學國家重點實驗室有機光電中心碩博連讀并獲理學博士學位， 2008年9月至2010年5月分別在新加坡南洋理工大學電機與電子工程學院和日本國立物質材料研究所從事博士后研究， 2010年6月至今在南京郵電大學材料科學與工程學院工作。

研究方向及主要成果
研究方向：
高性能有機場效應晶體管及其多功能集成、超高密度存儲器、柔性可彎曲型光電器件。

主要成果：
研究成果在Applied Physics Letters, Organic Electronics, Journal of Applied Physics, Journal of Physics D: Applied Physics, Semiconductor Science and Technology, Thin Solid Films, Chinese Physics Letters等國際SCI期刊上發(fā)表二十幾篇SCI論文，并獲授權中國發(fā)明專利1項，多次參加國際學術會議。

代表性論文：
1．Mingdong Yi, Litao Zhao, Quli Fan, Xianhai Xia, Wei Ai, Linghai Xie, Xiangmei Liu, Naien Shi, Wenjun Wang, Yanping Wang, and Wei Huang, “Electrical Characteristics and Carrier Transport Mechanisms of Write-Once-Read-Many-Times Memory Elements Based on Graphene Oxide Diodes” J. Appl. Phys., 2011, 110, 063709/1-3.
2.．Mingdong Yi, Xianhai Xia, Tao Yao, Yuyu Liu, Linghai Xie, Xinhui Zhou, and Wei Huang, “Vertical n-type organic transistors with tri(8-hydroxyquinoline) aluminum as collector and fullerene as emitter” Appl. Phys. Lett., 2011, 98, 073309/1-3.
3．YI Ming-Dong, XIE Ling-Hai, LIU Yu-Yu, DAI Yan-Feng, and Huang Jin-Ying, “Electrical Characteristics of High-Performance ZnO Field-Effect Transistors Prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis Technique” Chin. Phys. Lett., 2011, 28(1), 017302/1-3.
4．Mingdong Yi, Jinying Huang, Dongge Ma, and Ivo A. Hümmelgen, “High gain in hybrid transistors with BAlq3/Alq3 isotype heterostructure emitter”, Appl. Phys. Lett., 2008, 92, 243312/1-3.
5．Mingdong Yi, Jinying Huang, Dongge Ma, and Ivo A. Hümmelgen, “Large current gainand low operational voltage permeable metal-base organic transistors based on Au/Al double layer metal base”, Org. Electron., 2008, 9(4), 539-544.
6．Mingdong Yi, Shunyang Yu, Chenggang Feng, Tong Zhang, Dongge Ma, M.S. Meruvia, and Ivo A. Hümmelgen, “High gain in hybrid transistors with vanadium oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum emitter”, Org. Electron., 2007, 8(4), 311-316.
7．Mingdong Yi, Shunyang Yu, Dongge Ma, Chengang Feng, TongZhang, M.S.Meruvia, and IvoA.Hümmelgen, “High current density tri(8-hydroxyquinoline) aluminum-based hybrid transistor in vertical architecture”, J. Appl. Phys., 2006, 99, 106102/1-3.

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